RRAM Nedir?

Bilimsel rasgele erişim belleğinden (DRAM) daha fazla veri saklayabilen bilgisayar bellekleri geliştirmek için, bilim adamları dirençli rastgele erişim belleği (RRAM) olarak adlandırılan bir bellek çipi geliştiriyorlar. DRAM ve Flash gibi yaygın bellek türleri verileri depolamak için elektrik yüklerini kullanır, ancak RRAM her bir bilgi bitini saklamak için uygun faizli konut kredisidirenç kullanır. Direnç, voltaj kullanılarak değiştirilir ve aynı zamanda kalıcı bir bellek tipi de olur, veriler enerji kullanılmadığında bile bozulmadan kalır. Anahtarlamada yer alan her bir bileşen iki elektrot arasında yer alır ve bellek yongasının özellikleri alt mikroskobiktir.

RRAM'de veri depolamak için çok küçük güç artışları gerekir. Genel olarak bir metal oksit tabakası ve bir kapaklama katmanı içermekle birlikte, belirli türdeki materyalleri bütünleştiren farklı dirençli bellek tipleri vardır. Materyal, bilgiye erişim süresinin ne kadar uzun olduğu, verilerin ne kadar iyi tutulduğu ve belleğin ne kadar süre bozulmadan devam ettiği konusunda bir fark yaratabilir. Operasyon sırasında kullanılan güç, katmanlar için malzeme tipinden de etkilenebilir.

Bir tür RRAM, bir yalıtkan olan titanyum oksit kullanır . Bir tarafı, bariyer boyunca voltajın açılması durumunda diğer tarafa hareket edebilen oksijen molekülleri ile karıştırılır. İletim, belleğin anahtar durumu açık olduğunda bir kez başlayabilir. Oksijen molekülleri diğer tarafa geri döndüğünde, hafıza kapalı duruma geri döner. Açık ve kapalı döngülerin gerçekleşmesi için saniyenin kesirlerini alır.

Diğer bir dirençli bellek türü, iletken teller arasında titanyum oksidi yatay mikroskobik şeritler halinde yukarı doğru sıralar. Çoğu bellek türü benzer bileşenleri dikey bir düzenlemeye yerleştirir. Direnç, her bir şerit boyunca kontrol edilebilir ve direnci çeşitli derecelerde değiştirme yeteneği, bellek sistemleri için öğrenme benzeri bir yetenek oluşturabilir. en kolay kredi kartı veren bankaElektronik şirketleri, belleğin nasıl çalışacağıyla ilgili kavramlar geliştirmeye devam ediyor.

Faz değişim belleği , RRAM ile birlikte geliştirilmekte olan başka bir türdür. Ayrıca iletken köprüleme rasgele erişim belleği (CBRAM) olarak da adlandırılır, direnç durumlarının değiştirilmesi için malzeme özelliklerini değiştirmek için çok miktarda ısı kullanır. Birçok elektronik üreticisi, RRAM'a, verimli çalışmak için mümkün olduğu kadar küçük olan DRAM gibi hafızaya uygun bir yer değiştirme üzerine odaklanmaktadır.